国产设备:以国产设备为主,具备先进传感器和晶圆级3D集成技术的核心工艺能力,为国产装备提供验证平台,加速先进传感器产业链国产化,实现自主可控;

设备投入:设备58台,包括晶圆级键合与D2W关键工艺设备,光刻、离子刻蚀、后道清洗等与产能扩充等设备;

工艺能力:可提供BSI及CoWoS关键工艺-高精度晶圆键合、减薄、化学机械研磨、清洗、湿法刻蚀、薄膜沉积、HiK介质膜沉积、热退火与多芯片-晶圆集成等;