MEMS-CMOS兼容技术（Integrated CMOS-MEMS Technology）在MEMS芯片制造领域中业内领先。通过CMOS逻辑电路与MEMS传感器的工艺集成，可以实现两者之间的优势互补，优化信噪比、减小器件尺寸、降低成本针对智能传感器、生物医疗和消费类电子等市场大方向的应用需求，通过建设多样化的MEMS-CMOS兼容工艺和尖端技术平台，包括选通阵列MEMS-CMOS兼容制造工艺、CMOS兼容热泡工艺及与压电工艺集成、低阻表面硅惯性MEMS-CMOS集成工艺等，实现高集成、低成本的面向未来的MEMS晶圆制造优势。

1、CMOS兼容MEMS阵列器件制造技术

     MEMS阵列传感器是重要的器件构型，在成像领域有广泛应用，包括红外、指纹、超声成像传感器等；MEMS阵列单元的CMOS选通电路与MEMS结构的兼容制造工艺成为关键共性技术之一。针对多路MEMS传感器如阵列式MEMS传感器，或者是集成化多路输出MEMS传感器的多信号选择特性所开发。采用MOS开关工艺、多路复用器工艺以及MEMS编码技术对每个MEMS传感器信号进行选址和通讯，实现智能化的传感器信号输出。通过研究MEMS阵列式传感器的输出/驱动特性、阵列选通特性、MEMS材料/工艺的CMOS工艺兼容性，开发低噪声高速MOS管开关阵列、高增益模拟前端MEMS互联放大电路，形成CMOS兼容MEMS阵列器件制造技术规范，为高集成度、直至单片集成MEMS阵列器件产品提供技术支持和技术转化服务。

2、CMOS兼容热泡工艺及与压电工艺集成

    MEMS微流体技术是即时医疗检测及生物医疗，药物研发的核心技术，建立下一代智能微流体柔性工艺平台是生物医疗创新研发的基础，市场潜力十分巨大。通过研究兼容热泡-压电工艺的CMOS-MEMS智能微流体芯片，攻克整晶圆PZT微纳加工、高效率微流体结构加工等关键技术，为CMOS-MEMS集成的微流体智能芯片的研发与推广解决核心部件问题，提供根本支撑。

3、低阻表面硅惯性MEMS-CMOS集成工艺

    实现低阻表面硅惯性MEMS-CMOS集成工艺的开发，缩小和弥补国内惯性传感器技术水平在加工工艺和大规模制造技术上的差距，提升国内相关惯性器件领域的产业化水平。重点研究厚多晶硅外延工艺、高深宽比硅刻蚀工艺、c-SOI工艺、HF气相腐蚀工艺对CMOS电路兼容性的影响，设计双载波低阻前置放大器检测电路，重点研究放大器MOS管参数，开发0.18um/0.15um/0.13um带EEPROM的混合信号工艺，包含微小电容/电阻检测电路、信号放大及模数转换电路、EEPORM校验电路及数字接口电路，形成低阻表面硅惯性MEMS-CMOS集成工艺设计和制造规范。