功能板块
工艺路线及服务
- 制造服务
– 提供BSI、Hybrid bonding、TSV、大阵列拼接、定制化BSI工艺、D2W等晶圆代工服务；
- 设计服务
– 完善PDK：提供BSI工艺制程所需PDK；
– IP：NIR、Hybrid bond、High-QE、CoWoS等工艺及结构IP；
– MPW服务：为不同产品定期提供shuttle服务；
– 光罩服务：提供OPC、tape out及光罩服务。
关键工艺
- 高精度Hybrid bond异质结键合工艺
– 2微米铜互联高精度键合工艺
– 键合晶圆对准精度小于0.2微米
– 上下晶圆对准标记
– 晶圆间键合力≥2J/m2
- 深沟槽填充工艺
– 深沟槽填充介质（Al2O3/Ta5O2/ALD OX）
– 深沟槽深度2um，线宽160nm/80nm
- 多芯片-晶圆异构集成（Die-to-wafer heterogeneous integration-D2WHI）
- TCB热压贴合，对准精度<1.5um，支持Stacking Memory, FOWLP, COWOS等先进工艺
工艺能力
|
TF |
化学机械研磨CMP |
Bonding & DIFF |
WET |
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Film |
Module |
Function |
Module |
Function |
Module |
Function |
Module |
|
Silicon Nitride |
PECVD |
Silicon Oxide |
CMP |
Oxide-Oxide |
Bonding |
RCA clean |
WET |
|
DARC(SiON) |
PECVD |
Silicon |
CMP |
Si-Si |
Bonding |
Backside clean |
WET |
|
Silicon Oxide |
PECVD |
Silicon Nitride |
CMP |
Cu-Cu |
Hybrid Bonding |
SCR |
WET |
|
PECVD |
Silicon Oxide |
Backside Grinding |
Die to wafer |
Bonding |
Si etch |
WET |
|
|
DPO |
Silicon |
Backside Grinding |
Anneal |
DIFF |
Si etch |
WET |
|
|
PEALD |
Silicon |
Edge trimming |
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AlO |
ALD |
STI film |
CMP |
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TaO |
PVD |
W film |
CMP |
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ILD film |
CMP |
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AL film |
CMP |
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CU |
CMP |
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