功能板块
工艺路线及服务
- 制造服务
– 提供BSI、Hybrid bonding、TSV、大阵列拼接、定制化BSI工艺、D2W等晶圆代工服务；
- 设计服务
– 完善PDK：提供BSI工艺制程所需PDK；
– IP：NIR、Hybrid bond、High-QE、CoWoS等工艺及结构IP；
– MPW服务：为不同产品定期提供shuttle服务；
– 光罩服务：提供OPC、tape out及光罩服务。
关键工艺
- 高精度Hybrid bond异质结键合工艺
– 2微米铜互联高精度键合工艺
– 键合晶圆对准精度小于0.2微米
– 上下晶圆对准标记
– 晶圆间键合力≥2J/m2
- 深沟槽填充工艺
– 深沟槽填充介质（Al2O3/Ta5O2/ALD OX）
– 深沟槽深度2um，线宽160nm/80nm
- 多芯片-晶圆异构集成（Die-to-wafer heterogeneous integration-D2WHI）
- TCB热压贴合，对准精度<1.5um，支持Stacking Memory, FOWLP, COWOS等先进工艺
工艺能力
TF
化学机械研磨CMP
Bonding & DIFF
WET
Film
Module
Function
Module
Function
Module
Function
Module
Silicon
Nitride
PECVD
Silicon
Oxide
CMP
Oxide-Oxide
Bonding
RCA
clean
WET
DARC(SiON)
PECVD
Silicon
CMP
Si-Si
Bonding
Backside
clean
WET
Silicon
Oxide
PECVD
Silicon
Nitride
CMP
Cu-Cu
Hybrid
Bonding
SCR
WET
PECVD
Silicon
Oxide
Backside
Grinding
Die to
wafer
Bonding
Si etch
WET
DPO
Silicon
Backside
Grinding
Anneal
DIFF
Si etch
WET
PEALD
Silicon
Edge
trimming
AlO
ALD
STI film
CMP
TaO
PVD
W film
CMP
ILD film
CMP
AL film
CMP
CU
CMP
(TEOS-based)
(SiH4-based)
