AlN,III-V 族,PZT 压电薄膜等材料逐渐从研发阶段进入到产品实施阶段,技术上日趋成熟,催化着 CMOS、MEMS和先进传感器的联动反应。 
  • 薄膜压电材料(PZTAlN

  • 多孔硅(PSi)材料

  • c-SOI特色晶圆

  • 硅基III-V 族材料和磁阻材料

  • High-K材料(ALDAI203/HfO2


    压电MEMS技术是行业内新兴技术方向,产品覆盖面广、颠覆性强;面向智能消费电子、新型人机交互、AR/VR等新兴应用,50亿美元规模的“蓝海”市场

图:CMOS兼容AlN薄膜集成MEMS指纹识别芯片 


III-V 族半导体材料突出的材料特性,使得基于 III-V 族材料研发的传感器在灵敏度、响应速度、探测面、适应恶劣环境上具备了显著的优点


图:高机电耦合PZT薄膜MEMS陀螺