新材料研发


关注业内新兴技术方向,作前瞻性布局,覆盖面广、颠覆性强。

  • 薄膜压电材料(PZT、AlN)
  • 多孔硅(PSi)材料
  • c-SOI特色晶圆
  • 硅基III-V 族材料和磁阻材料
  • High-K材料(ALDAI203/HfO2)


工艺研发


围绕MEMS及先进传感器需求,面向量产导入和产业引领,建立关键共性工艺和定制工艺开发平台。

  • 压电薄膜精准制造工艺
  • 阵列器件片上集成制造工艺
  • 干湿结合牺牲层工艺
  • 异质晶圆键合等图像传感器BSI工艺
  • 超高深宽比(60-100)沟槽制作工艺



新器件与封装


       新兴智能传感器集成与封装、晶圆级与封装集成。

  • 开放式传感器集成 与封装技术
  • 惯性传感器真空封装技术
  • 红外传感器特种气密封装技术
  • 基于TSV的晶圆级封装技术
  • 射频器件



新集成



围绕感知、存储和计算,开发一体化集成工艺技术,推进先进传感器、存储器和人工智能集成技术创新。

  • 开发感知、存储、计算前沿引领技术和关键共性技术
  • 推进人工智能先进工艺制造技术和颠覆性系统集成技术创新