首页 > 专用集成电路ASIC
为了满足市场应用和客户的需求，MEMS传感器需要配备专门目的而设计的集成电路（ASIC）进行采样或者驱动。由于MEMS芯片的特殊性，其模拟输出量往往是十分微弱的或者有非常规的使用条件，通用的ASIC芯片无法达到其要求，常规的ASIC设计公司也无法设计出令MEMS传感器厂家满意的芯片。所以造成了MEMS行业普遍的“缺芯之痛”现象，这个“芯”指的就是MEMS专用的ASIC。因此，MEMS专用ASIC的设计是MEMS技术发展的关键共性技术。
1、MEMS微弱信号读出ASIC设计技术
研究MEMS微弱信号采集技术；建立微弱信号传输和多级运放等效仿真模型；优化模拟前端电路有效信号采集和等效噪声测量的电路设计；开发MEMS微弱信号读出ASIC设计方案。
2、可扩展MEMS传感器通用ASIC设计技术
针对MEMS传感器电压输出幅度小、动态范围宽的特点，探索MEMS传感器ASIC在电源系统、前置运放、PTAT、∑-Δ调制器、模数转换（ADC）滤波器等核心模块的共性研究，形成具有适应各类MEMS传感器的ASIC核心模块技术库，加速新型MEMS传感器ASIC的开发。
3、MEMS阵列传感器ASIC设计技术
研究MEMS阵列传感器在信号切换以及信号叠加时的耦合特性；研究专用控制电路信号幅值范围对MEMS阵列传感器的动态响应；开发片上PTAT高分辨率参考温度采集单元；开发适合MEMS阵列传感器的片上辅助单元群和标准总线接口；设计阵列式高增益低噪声数字电路。
